第二研讨室，富士通公司，卖力研制可变尺寸矩形电子束扫描设备，室长：中村正。
日本DRAM和半导体产业产值在环球市场占有率中的生长趋势：官产学三位一体、举国体制的国度力量、财产链上游延长。
本身就算拿到100亿美金全款，全数投入半导体行业，在这类国度级的合作面前，只是微不敷道。
研发的首要服从包含各型号电子束暴光设备，采取紫外线、X射线、电子束的各型制版复印设备、干式蚀刻设备等，获得了一系列惹人谛视标服从。
但是，最为关头的出产制程设备和原质料首要来自米国，为了补足短板，日本人构造800名技术职员停止重点攻关，共同研制高机能的国产化DRAM出产设备，不但实现64K DRAM和256K DRAM的商用化，也实现1M DRAM商用化的关头出产制程设备。
第三研讨室，东芝公司，卖力EB扫描设备与制版复印设备，室长：武石喜幸。
第二，官产学三位一体，制定国度项目停止重点攻关。
米国三家最好DRAM公司的芯片分歧格率，比日本三家DRAM公司的芯片分歧格率，整整高出6倍。
日本人向米国粹习，在米国人的搀扶下开端建立本身完整的半导体产业体系，并构成了本身国度在科技冲破上的研发体系。
第六研讨室，NEC公司，停止产品封装设想、测试和评价研讨，室长：川路昭。
在随后的第二次、第三次环球半导体硅含量晋升周期中。
第四研讨室，电气综合研讨所，对硅晶体质料停止研讨，室长：饭塚隆。
在DRAM出产制程设备攻干体系中，日本人连合分歧、同心合力，这类举国体制的国度力量令人震惊。
总计投入720亿日元为基金，由日本电子综合研讨所和计算机综合研讨所牵头，设立国度性科研机构-VLSI技术研讨所。
尔必达的失利，有外因，也有内部身分。尔必达自建立起，有三大内伤，埋下今后毁灭的因子：
1960年日本人胜利研制了第一块晶体管集成电路；1963年研制MOS型晶体管。特别是1962年米国人对日本人开放当时环球半导体产业最早进的平面制造工艺技术，使得日本人几近一夜之间就获得集成电路的出产制造技术。
最典范的就是英特尔，持续长达30年占有环球微措置器CPU芯片的90%以上的市场份额，持续通过科技红利投入，从286到586，从奔腾1到5等，把持环球PC和条记本市场。
这构成了日本半导体产业体系的雏形，一下子收缩了和天朝人的差异。
1985、1991年两次签订的《美日半导体和谈》，固然给日本人停止极大的制约，固然米国人尽力搀扶韩国人，但形成日本人在1986-1997年的第二次DRAM天下大战-日韩半导体战役中失利，十年间断崖式下滑的首要启事还是日本人在科技红利之有效研发投入上的不敷。
1978年日本人发明64k DRAM，其问世标记取超大范围集成电路(VLSI)期间的到临，硅片直径为100-125mm，芯片面积为26.6mm2，集成度为155000。首要技术为循环位线、折叠数据线。